+86 755-83044319

中文 angličtina

Produkty

Produkty

/

/

Diskrétní napájecí zařízení

/

Kategorie
Nízkonapěťový MOSFET MOSFET středního napětí Vysokonapěťový MOSFET CoolMOS

SL87N120A MOSFET tranzistory TO-247-4

SL8N65F N-Channel Enhancement MOSFET TO-220F

SL8N65F tranzistory s metal-oxid-křemíkovým polem

SL13N50FS N-Channel Enhancement MOSFET TO-220F

SL42N120A vysokonapěťový MOSFET TO-247-3

SL12P03S P-kanál Power MOSFET SOP-8

SL18N50F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL5N50D N-kanálový výkonový MOSFET TO-252

SL13N45F N-Channel Enhancement MOSFET TO-220F

SL10N65F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL7N65F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL4N65F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL8N100F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL22N65CF N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL15N60CF N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL11N65CF1 N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL8N65CF N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL8N65CD N-kanálový výkonový MOSFET TO-252

SL20N65F N-kanálový výkonový MOSFET TO-220F

SL15N65CD N-kanálový výkonový MOSFET TO-252

Balíček	VDSS (V)	ID(A)	RDSON(Ω)	VTH KARTA	P / N
TO-247-4 TO-220F TO-247-3 SOP-8 DO-252 DO-220 TO-220-3L DO-247 TO-3PF TO-3PH	1200V 650V 500V 1.2KV -30V 450V 1000V 200V 1500V 220V	87 8A 13 42 -12A 18 5A 10 7A 4A 22 15 11 20 12 9A 80	22 mΩ @ 18 V, 60 A 1.1Ω @ 10 V, 3.5 A 1.1 mΩ @ 10 V, 3.5 A 520 mΩ @ 10 V, 6.5 A 80 mΩ @ 20 V, 10 A 24mΩ@-4.5V,-5A 0.32Ω @ 10 V, 9 A 1.5Ω 470 mΩ @ 10 V, 5.5 A 940 mΩ @ 10 V, 5 A 1.4Ω @ 10 V, 3.5 A 2.6Ω @ 10 V, 2 A 1.8Ω @ 10 V, 4 A 150 mΩ @ 10 V, 10 A 238 mΩ @ 10 V, 7.5 A 318 mΩ @ 10 V, 4.0 A 550 mΩ @ 10 V, 2.5 A 0.38Ω @ 10 V, 10 A 1.0Ω @ 10 V, 6 A 120 mΩ @ 10 V, 9 A 2.9Ω @ 10 V, 4 A 5.8Ω @ 10 V, 1.3 A 4.2Ω 30 mΩ @ 10 V, 95 A	1.8 V @ 20 mA 10V@3.5μA 2V@250μA 4V@250μA 3.6 V @ 3.8 mA -1.6V@-250μA 3.5V@250μA 4V@250uA 4.5V @ 250A 4.5V@250μA 5V@250μA 4.5 V @ 0.8 mA 5.0V@250μA 3.0V@250μA 3.5V@100μA 4.0V@250μA	- N-kanál P-kanál

TO-247-4	1200V	87	22 mΩ @ 18 V, 60 A	1.8 V @ 20 mA	-
TO-220F	650V	8A	1.1Ω @ 10 V, 3.5 A	10V@3.5μA	N-kanál
TO-220F	650V	8A	1.1 mΩ @ 10 V, 3.5 A	2V@250μA	N-kanál
TO-220F	500V	13	520 mΩ @ 10 V, 6.5 A	4V@250μA	N-kanál
TO-247-3	1.2KV	42	80 mΩ @ 20 V, 10 A	3.6 V @ 3.8 mA	N-kanál
SOP-8	-30V	-12A	24mΩ@-4.5V,-5A	-1.6V@-250μA	P-kanál
TO-220F	500V	18	0.32Ω @ 10 V, 9 A	4V@250μA	N-kanál
DO-252	500V	5A	1.5Ω	3.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	450V	13	470 mΩ @ 10 V, 5.5 A	4V@250uA	N-kanál
TO-220F	650V	10	940 mΩ @ 10 V, 5 A	4.5V @ 250A	N-kanál
TO-220F	650V	7A	1.4Ω @ 10 V, 3.5 A	4.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	4A	2.6Ω @ 10 V, 2 A	4.5V @ 250A	N-kanál
TO-220F	1000V	8A	1.8Ω @ 10 V, 4 A	5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	22	150 mΩ @ 10 V, 10 A	4.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	15	238 mΩ @ 10 V, 7.5 A	4.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	11	318 mΩ @ 10 V, 4.0 A	4.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	8A	550 mΩ @ 10 V, 2.5 A	4.5V@250μA	N-kanál
DO-252	650V	8A	550 mΩ @ 10 V, 2.5 A	4.5V@250μA	N-kanál
TO-220F	650V	20	0.38Ω @ 10 V, 10 A	3.5V@250μA	N-kanál
DO-252	650V	15	238 mΩ @ 10 V, 7.5 A	4.5V@250μA	N-kanál

Doporučení novinek

Novinky 188 FAQs zobrazit více +

Populární značky

ANO SCR IGBT MOSFET Optočlen SiC SBD Dioda TVS ESD dioda Zenerova dioda Schottkyho dioda Bipolární tranzistor Hallovy senzory IC ovladače brány

Mapa stránek | 萨科微 | 金航标 | Slkor | Kinghelm
RU | FR | DE | IT | ES | PT | JA | KO | AR | TR | TH | MS | VI | MG | FA | ZH-TW | HR | BG | SD| GD | SN | SM | PS | LB | KY | KU | HAW | CO | AM | UZ | TG | SU | ST | ML | KK | NY | ZU | YO | TE | TA | SO| PA| NE | MN | MI | LA | LO | KM | KN
| JW | IG | HMN | HA | EO | CEB | BS | BN | UR | HT | KA | EU | AZ | HY | YI |MK | IS | BE | CY | GA | SW | SV | AF | FA | TR | TH | MT | HU | GL | ET | NL | DA | CS | FI | EL | HI | NE | PL | RO | CA | TL | IW | LV | ID | LT | SR | SQ | SL | UK

Copyright © 2015-2022 Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd

Poradenská služba

Servisní horká linka

+86 0755-83044319

Hallův snímač

Získejte informace o produktu

WeChat

WeChat