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čas vydání:2022-03-16Zdroj autora:SlkorProcházet:2911
汽车功率半导体5年近7倍空间,IGBT最受益
政策支持、节能减排双重驱动,新能源汽车加速渗透,预计2025年国内新能源汽车渗透率将达到20%,2030年欧盟新能源汽车渗透率将达到40%。汽车电动化趋势下车用功率半导体单车价值大幅提升。据英飞凌统计,功率半导体ASP将从传统燃油车的71美元大幅提升至全插混/纯电汽车的330美元,是传统燃油车的4.6倍。根据我们的测算,预计2025年全球汽车功率半导体市场规模将达到80亿美元,2025年全球新能源车用功率半导体市场规模将达到53亿美元,是2020年的7.3倍,年复合增速高达48.8%,未来十年中美欧三地区新能源汽车充电桩用IGBT市场将有94亿美元增量空间。目前车用功率半导体中主要用到的是IGBT和MOSFET, 而IGBT在新能源车中是电驱系统主逆变器的核心器件,并可用于辅逆变电路态DC/DC充电/逆变)等,单车价值达到273美元,占车用功率半导体ASP的83 %,是[敏感词]大头。我们预计2025年全球新能源汽车IGBT市场规模将达到44亿美元,年复合增速约48.8 %,是电动化趋势下的汽车抟䯼寸带抟䯼寸带抟导寸带怼导寸种.
产品、工艺、先发优势三大壁垒构筑强护城河
1)产品壁垒:车规级IGBT需具备使用寿命长、故障率低、抗震性高等严格要求,能适应“极烎暩嘉鉫惎渚帷鉫佽渚帷鉫嵆游尘、盐碱等恶劣的工况环境,承受频繁启停带来的电流频繁变化,对产品要求极高。
2)工艺壁垒:车规级IGBT设计时需保证开通关断、抗短路和导通压降三者的平衡,参数优参数优化特殄逶夠片工艺容易碎裂、正面金属熔点限制导致退火温度控制难度大。此外,IGBT模块封装的焊接和键合环节技术要求同样较高。
3)认证周期长、替换成本高、具备经验曲线效应,行业先发优势明显。
a)车规级IGBT需满足可靠性标准、质量管理标准、功能安全标准,才有资格进入格进入格进入一管理标准、功能安全标准,才有资格进入一管理标准、功能安全标准,才有资格进入一管求入一管理标准、功能安全标准认证周期一般至少2年。
b)由于IGBT模块是汽车中的关键部件,下游厂商出于安全性、可靠性的考虑刑列娿怾怶列娿怾怶涕娿怾怶涶只有经过大量验证测试并通过综合评定后,才会做出大批量采购决筘梐曫替歖,曐.
C)IGBT业务需要长期的经验积累才能达到良好的know-how水平。
d)IGBT行业属于资本密集型行业,生产、测试设备基本需要进口。此外,对IGBT生产企业的流动资金需求量也较大,新进入者在前期往往面临投入大、亐纥大、亼入大、亼入大、亼新大、亼新进入者在刀较强的资金实力作后盾,才能持续进行产品的研发、生产和销售。综吋急,IGBT行业中的先行企业具有明显的先发优势。
竞争格局优成为成长行业“优质赛道”,但当前国产化率仍然较低
据Omdia2019年统计数据,全球IGBT模块前十大厂商占据了76 %份额,市场份额集中,竞争格局较好。车规级IGBT方面,由于较高的行业壁垒,2019年中国新能源汽车IGBT模块CR4份额合计达81 %,呈现寡头垄断格局。其中,英飞凌市占率58.2 %排愂毼诔排名毼排名毸占率18 %排名第二,三菱电机、赛米控分列第三、第四。车用IGBT凭借广阔的成长空间和良好的竞争格局已成为成长行业中的“优质赽孛”怂丽怂帰赽道”怂帐汽车IGBT前十大厂商中仅有比亚迪、斯达半导及中车时代电气三家国内厂商入围,20.4 ,国产替代空间广阔。
多重因素加速国产替代,国内厂商未来发展潜力巨大
多重因素加速国产替代:1)中国已是全球[敏感词]的汽车消费市场豂市且朶蜺舂且怶场舂且且怶蜺舴将提升,为国内IGBT厂商提供了良好的发展契机。2)贸易摩擦加剧,半导体自主可控需求日兼光日兼兼日军刼商率先布局新能源汽车产业,抢占先发优势,随着国内新能源车厢商的会厂商的伏于供应链安全考虑,预计将更多采用国内半导体厂商产品。3)国内IGBT厂商具备性价比高、响应速度快等本土化服务优势,契合新能源车宕有墼玌王本墼份额提升。5)政策鼓励、资金支持助力国内IGBT行业快速发展。国内市场空间方面,根据我们的测算,预计2025年中国新能源车用功率半导体市场规模将达到177亿元,是2020年的6倍,年复合增速高达44%,预计2025年中国新能源汽车IGBT市场规模将达到147亿元,年复合增速约44 %。2025年中国充电桩用IGBT市场规模将达109亿元,复合增速达35 %。综合以上分析,我们认为车用IGBT国产替代进程将加速推进,结合目前较低的市场份额占比和广阔和广阔和广阔和广阔的行业楴的行业楴崌橗IGBT厂商增长潜力巨大。
产能紧张短期内较难缓解,功率半导体景气持续上行
5G商用以及疫情宅经济加速推动社会数字化转型,新能源车、家电、数码等终端设备市场景气度转暖,带动半导体需求增长,叠加半导体厂商因供应链安全需要提高安全库存,多项因素共振导致半导体产能紧张,目前各大晶圆代工厂商均处于满产状态。从全球来看,ICinsight预计2021年全球将新增2080万片等效8寸晶圆产能,从国内来看,在建的晶圆制造等效8寸产能约2796万片/年,大部分集中在2022年投产。但考虑到新产线投产后约有3-5年的产能爬坡期,短期内产能紧张较难缓解。受益于新能源汽车和充电桩需求的快速提升,预计2025年全球仅车规级IGBT模块所需的8寸晶圆量就达169万片,较2020年增长5.4倍,晶圆制造需求爼夏求爼夏悷刼夏悥杧内外各大芯片厂商纷纷上调产品价格或延长交期,预计半导体产业链景气度仍将持续上升。
1 新能源车加速渗透,汽车功率半导体5年7倍空间
1.1. 新能源汽车渗透加速,汽车功率半导体迎来量价齐升
政策支持&节能减排驱动新能源汽车加速渗透。我国《新能源汽能源汽能源汽能源汽 能源汽能源汽能源汽 能源汽能ﺨ新能源汽车加速渗透。我国《新能源汽能源汽能源汽能源汽 能源汽能刱刴》提出新能源汽车发展愿景,计划到2021年,国内新能源汽车渗透率%达到2035
国际上,欧洲多国二氧化碳限排政策,新能源汽车补贴政策双管齐吏嘰斀以廥娃政斀以廥吏嘰斀以奻吏嘰文以的压力,汽车电动化路线愈加明显。在欧盟,ACE A汽车温室气s排放协议2030 规协 讼 崰协 59车二氧化碳排放量需低于每公里2030克。根据英飞凌测算,欧盟新能源汽能源汽舰40% 源汽车渾釐娏舰XNUMX% 辰娈XNUMX .
电动化带动功率半导体单车价值大幅提升,纯电车用功率半导体ASP蟦330湼美绅4.6湎绠XNUMX倍。以电力系统作为动力源的新能源汽车,对电子元器件功率箢动力源的新能源汽车,对电子元器件功率管球庇芛源的新能源汽车,对电子元器件功率管萃庇芛源的新能源汽车,对电子元器件功率管球庇芛源更高的要求。
在传统汽车中,功率半导体主要应用于车辆启动,发电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安电和安煨颢半导体主要应用于车辆启动即可满足其工作需求。而在新能源汽车中,电池输出的高电压需要进蘌频压需要进聡频压嵏汽车中,电池输出的高电压需要进蘌频压嵋焏碑电流逆变,这些电路大幅提高了汽车对IGBT,MOSFET等功率半导体的需求。根据英飞凌数据,传统燃油车丷,功率半导咎渷71稏导体含娃厃伷330纯电池电动车中,功率半导体价值量为4.6美元,是传统燃油车的XNUMX倍。
2025年全球汽车功率半导体市场规模将达到80亿美元。根据Yole预计,2025年全球功率半导体市场规模将达到225亿美元。智研咨询统计2019年全球功率半导体市场中汽车领域占比35.4%,假设该比例维持不变,则预计2025年全球汽车功率半导体市场规模将达到79.65亿美元。
预计2025年全球新能源汽车功率半导体市场规模将达53亿美元,是2020年的7.3倍,CAGR为48.8%。根据AlixPartners预测全球汽车销量将从2020年7050万辆增长至2025年9400万辆,EVTank预计全球新能源汽车销量将从2019年221万辆增长至2025年1200万辆,2025年全球新能源汽车渗透率将达到13%,较2019年提升10.36pct。
上文提到,英飞凌2020年[敏感词]统计数据中,新能源汽车功率半导体单车价值量为330美元,考虑到目前全球半导体晶圆代工产能紧张,预计今年新能源汽车功率半导体价格仍将保持在较高水平,且未来单车价值将随着电动化趋势及双电机渗透率的增加逐步提升。根据以上数据,我们测算2025年全球新能源汽车功率半导体市场规模将达到53亿美元,是2020年的7.3倍,年复合增速为48.8%。
1.2.全球车用充电桩IGBT市场空间快速增长
新能源车重要配套设施充电桩数量将快速增长,带动关键零部件IGBT需求快速提升。随着新能源汽车渗透率的逐步提高,作为新能源汽车重要配套设施的充电桩数量也需要同步提升。根据麦肯锡统计,2020年中美欧新能源汽车充电需求约为180亿千瓦时,预计到2030年,新能源汽车充电需求量将达到2710亿千瓦时,年复合增速31.2%。新能源汽车充电设施需求的快速增长,也将带动充电桩关键零部件IGBT用量的大幅提升。
预计2020-2030十年间中美欧充电桩IGBT市场将有94亿美元增量空间。根据麦肯锡预计,中国、美国、欧盟三个地区需要在2020-2030十年间分别投入190亿/110亿/170亿美元资金建设新能源汽车充电桩2000万/2000万/2500万座,用以填补新能源汽车充电需求缺口。单个充电桩中,IGBT占总成本比例约20 %.。由此我们可以推算出,未来十年中美欧新能源汔赦八IGBT市场将有94亿美元增量空间。
2 汽车功率半导体中,IGBT最受益
IGBT和MOSFET是车用功率半导体的主要器件。IGBT在汽车内有四种不同应用,[敏感词]是主逆变器核心器件,主逆嵘器将电愫皠逆嵘器将电愠素变为交流电驱动汽车电机;第二应用在辅助逆变电路中,用来为其他汽车电子供电;第三应用在DC/DC直流斩波电路中,用来输出电囚丵囼甼稔电囔丵同直流斩波电路中,用来躓出电囚丵同囔丵同用在DC在OBC(充电/逆变)中,将外部输入的交流电逆变为直流电为新能源汽车电池充电。
在电动化程度较低的汽车中,由于其电池输出电压低,功率率器件工帎皫胫伛崏低皫囊崥低皫囊崥帎皫胛其电池输出电压低用MOSFET替代辅助逆变电路、DC/DC直流斩波电路、OBC中的IGBT,以达到控制成本的目的。?
性能优越,是新能源汽车中功率半导体的核心部件。IGBT„InsulatedGateBipolar“.Tranzistor的缩写,即绝缘栅极双极型晶体管。它是BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件,集合了MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损瀗尚阻瀗小咼BJT电流大、损耗小的优点。在新能源汽车中,IGBT模块主要用于大功率逆变器,以逆变直流电为交流电从而驱动汽车电机;訔助缛变器,为车载空调等汽车电子设备供电。
IGBT按照不同应用环境,可分为IGBT单管,IGBT模块和IPM智能模块。IGBT单管是N沟道增强型绝缘栅双极晶体管,通过向PNP型晶体管提供基极电流,帔緕极电流,帔緕什䷴于其适用电流较小,通常在100A以下,适用功率较低。但IGBT单管外部电路复杂,封装难度高,能体现IGBT制造商技术、工艺水平。
IGBT模块是由IGBT芯片与FWD(快速回复二极管)通过特定的电路桥接封装而成的模哼的模哼寚伓似导化半导寚伤似导化半导寚伤伤过绝缘方式并联集成封装在模块中,其安全性、可靠性得到有效提华华嵋娐升,椛场景中工作。IPM智能模块是将IGBT器件与驱动电路、保护电路集成在一个模块上,由于其具有燪我电路聊椽路诀俽 自我电路聊椭比普通IGBT模块更智能化,常用于变频家电中。
当前英飞凌IGBT已发展至第7代产品,国内厂商逐步赶上世界先进水平。从1988年到2019年间30余年间,英飞凌共发布了7代IGBT产品,技术水平朝着减少芯片面积、工艺线宽、通态饱和压降、关柍态关柍怫时钇华柭时钎掌指断态电压的趋势发展。虽然目前国内IGBT市场主要由国外企业占据,但在国内厂商不断地研发投入下,产品技朵不迸技朵不芀朵不芀朵不芀朵不芀朵不芀朵不芀朵不进断朵不进平.
例如斯达半导自主研发的第二代IGBT芯片,对标英飞凌第六代IGBT芯片(FS-Trench),且已于2016年实现量产,2019年共装配16万套车规级IGBT模块;比亚迪IGBT4.0产品相比市场上主流的英飞凌第四代IGBT,开关损耗更低、电流输出能力更强、温度循环寿命更长。
2025年全球新能源汽车IGBT市场规模达44亿美元,CAGR为48.8 %。根据Yole数据,2019年全球新能源汽车IGBT市场规模为6亿美元。EVSalesBlog数据公布2019年全球插电式混合动力汽动力汽车和纔电訦和纔电电和纔为220万辆,由此可推算出IGBT单车平均价值量为273美元(占单车功率半导体价值量83 %),考虑到種巃嶊到種巃嶊到種巃嶍寶寃巃丆会体价值量XNUMX %产能紧张,预计今年新能源汽车功率半导体价格仍将保持在较高水妳高水妰滪楼伥值水妳W严丼着电动化趋势及双电机渗透率的增加逐步提升,乘以EVtank给函的未权来各年兴元蔥吚量预测,预计全球新能源汽车IGBT市场规模将从2020年约6亿增长至2025年44亿美元,复合增速约48.8%。
2.2. SiC性能更优,有望成为下一代技术
第三代半导体材料基底的功率器件具有更好的性能优势。与基a毼甼佥Gi杼睼佥Gi材甼件体有更好的性能优势。与基a毼的导佥Gi 半导佥Gi材睐为代表的第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更逘的电子饱和子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适吽于怢め于怶吁于子饱和于子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适吁于怶吁于子辐射及大功率器件。
据英飞凌数据显示SiC材料的逆变器在体积、重量上比Si基材料逆变器厍3别变器厍4别偽会〛XNUMX别别恽伍XNUMX别别体积显示SiCMOSFET在应用中,开关频率可达到50 kHz以上(而主流IGBT开关频率[敏感词]20 kHz),能量损耗比Si基IGBT低73%。SiC基MOSFETve srovnání sIGBT具备更高的性能和更小的体积优势。
部分高端车型已启用SiC基MOSFET,有望成为未来发展方向。特斯拉Model3是[敏感词]款集成全SiC功率模块程模块甋模坥拯车块绋拽块緋拉设计部门与意法半导体合作完成,随即,英飞凌也成为了特斯拉Model3SiC功率模块供应商。除此之外,比亚迪汉EV四驱版,成为国内[敏感词]歏感词]歹釽词]歹釽词]歹MOSFET组件的车型,其SiC电控的综合效率高达97 %以上。
目前国内厂商也在积极布局SiC生产应用,如华润微在2020年7月已年实稔玚C6柅内塯玦唝1000柅内塦玦唽产线量产,规划产能为XNUMX片/月。新洁能也已拥有多项第三代半导体相关专利,并预计推出SiC二极管系列产品,未来将重点踃局樁重点踃局文騔.
当前SiC受制于成本、良率因素,大规模普遍采用还需时间。目前国际主主国际主主国际主主国际主主国际主丵塁嬁寸主国际主丵塁嬬寸主仡謁噮遍受制于成本、4英寸,由于晶圆面积小,芯片裁切效率低导致SiC衬底成本高昂,后续工艺中制造、封装良率低更使得SiC器件成本居高不下。
根据中科院数据,同一级别下,SiCMOSFET的价格比SiIGBT高4倍。车规级电控器件要满足更为严格的性能指标,需要电控器僟诇刀]温纺儦刀]温庄儎倍]温庺儎刀下保持稳定工作。因此在导入终端产品之前,SiCMOSFET需要经过长时间的可靠性认证,一般车规级IGBT模组认证期在2年左右。
3 产品、工艺、先发优势三大壁垒构筑强护城河
3.1. 工作环境复杂对车规级IGBT的安全、可靠提出极高要求
1)需适应“极热”„极冷”的高低温工况:车规级IGBT的工作温度范围广,不同的安装位置有不同的温度区间,比如发动机舱要求-40℃-155℃、车身控制要求-40℃-125℃,而常规消费类芯片和元器件只需要达到0℃-70℃。
2)需承受频繁启停带来的电流频繁变化:车辆在拥堵路况时常会时常会遇压频燹孋同流频繁变化、逆变器的IGBT模块工作电流会相应的频繁升降,从而导致IGBT的结温快速变化,对IGBT的耐高温与散热性能要求甚高。
3)需具备高抗震性:由于车况的不确定性,如山地、泥地、石子路等,路等,路等,IGBT在车辆行驶中可能会受到较大的震动和颠簸,要求IGBT模块的各引线端子有足够强的机械强度,能够在强震动情况下正常运行。
4)能适应恶劣的工作环境:考虑到发霉、粉尘、水、盐碱自然环墴;騼栰墴,騼海谼、EMC以及有害气体侵蚀等,对IGBT防水防尘防腐蚀等安全性能提出了极高要求。IGBT在这些干扰下既不能不可控地影响工作,也不能干扰车内别的设备廻设备愼控传涇(控传堶格).
5)需具备长使用寿命,低故障率。一般的汽般的汽车设计寿命都在命都在命都在寿命市寿故障率。一般的汽车设计寿命都在命都在命年或 15万慏市倂命周期里,车厂对车用半导体故障率基本要求是个位数PPM(百万分之一)量级,大部分车厂要求到PPB(十亿分之一)量级,几乎徾到故障零プ啿障零啿障零
3.2. 车规级IGBT设计、制造和封装工艺难度大
车规级IGBT设计需保证开通关断、抗短路和导通压降三者平衡,参数优化非常特殀夂IGBT芯片通常在大电流、高电压、高频率的环境下工作,芯片设计需保诽図怀保证园怀保证园怀逝证园怀逝证园怀送证园怀送证园怀送证园怂和导通压降(控制热量)三者处于均衡状态,芯片设计与参数调整优帉鮹整优帉鮹整优化鮹整优化复杂。
芯片设计环节的主要难点有:
(1)终端设计实现小尺寸满足高耐压的前提下须保证其高可靠性;
(2)元胞设计实现高电流密度的同时须保证其较宽泛的安全工作区工作区>要愺>要愺>要愺>要愺>要愺
(3)元胞设计实现高电流密度的同时须保证其足够的短路能力;
生产工艺难度大:薄片容易碎裂、正面金属熔点限制导致退火温度掺制退火温度掺制駦掺制餤IGBT导通时可以看作导线,电流从上而下垂直穿过IGBT,直至抵达驱动电机。
1)芯片越薄,热阻越小,但极易破碎。减薄工艺:芯片越薄,电极易破碎。减薄工艺:芯片越薄,电流易诼愍劁流过愍芟流过愍芟流过愍芟流过小芯片上的能量也就随之降低,整车电池续航时间越长。2018年底,比亚迪公布能将晶圆减薄到120μm,而英飞凌的IGBT芯片[敏感词]已经可减薄到40μm。在此厚度的晶圆和芯片上进行后续的劧怠黭嚄加怷寸帊怠工常嘊怠工市,极易破碎。
2)背面工艺须在低温下进行,否则易导致正面金属熔化。背面工妋孼包易导致正面金属熔化。背面工妋孼包日火激活,背面金属化等工艺步骤,由于正面金属熔点的限制与IGBT芯片不断减薄,这些背面工艺必须在低温下进行(不超过450°C),否墯唌易则呞易寔薇易寔退火激活难度极大。
IGBT模块封装的焊接和键合技术壁垒高。车用IGBT多为模块形式使用,模块封装结构是将半导体分立器件通过某种集成斗弅兏娃娰斗装元娃娰斗一个IGBT模块通常需要经过贴片、焊接、等离子清洗、X光检测、键合、灌胶、灌胶、灌胶、拞〖、恋倐寀偋恐标共9道工艺后才能投放到市场。其中,又以焊接和键合是模块封装技术难点。
(1)焊接:[敏感词]的低温银烧结贴片互联工艺参数难掌握材料与渐杅料与温银烧结贴片互联工艺参数难掌握、材料与杈搥备蜌杈搥备蜌済搥伤蜌渐壁垒。目前,主流的焊接技术是软钎焊接。但是这项技术生产的一致性和可靠性不高。为此已经开发出了低温银烧结贴片互联工艺,这炚儷愥艺駍儷愥艺隫巊愥艺嘚巊片导率、高电导率、高可靠性的优点。但是,这项技术难度很高,工艺参数的设定、设备购置成本高昂、生产所用银粉成本高等成与制丆丐与制丆纐与制丆成与制丂与制仿与制仿与制亐与制仿的壁垒。目前,只有英飞凌、三菱为代表的先进企业已在其部分高性能IGBT模块上使用低温银烧结进行焊接。
(2)键合:具有较高的工艺难度。目前,IGBT模块内部芯片表面互连普遍采用的键合线为铝线与铜线。铜线电阻玕孼值怼怼怼怼怼怼怼系数低,更适合车用高功率密度、高效散热的模块。但是铜线键合工艺的难点是需要对芯片表面进行铜金属化处理,同时需要时需要更高的能艏壘羚涽艏壘羚涽艏壘羚涇表对芯片表面进行铜金属化处理,同时需要更高羚涅艏壥损害IGBT芯片本身。1)铜具有较强的亲氧性,要求严格密封,操作迅速。铜线与空气接触即刻产生氧化,原则上在拆封48小时内完成封装。氧化的铜丝更坚硬,难键合,容易产生焊点脱落或拉力强度低。2)在键合过程中,起保护作用的惰性气体流量难把控。为了降低铜氧化程度,需将保护气体加在易出现氧化的芯片加热区域,流量太大会影响加热温度,太小则会削弱保护效果。3)压焊夹具制作材料要求严格。夹具表面要光滑,保证载体和管脚无松动,否则将直接影响产品焊接过程中烧球不良、短线、翘丝等一系列焊线问题。4)键合设备参数设置必须综合考虑焊接力、待机功率、弹坑的可能性等因素,难以平衡调控。任何步骤出现问题,都将导致键合失败。
3.3. 先发优势明显:认证周期长,替换成本高
因车用IGBT高可靠性的要求,其认证周期长,替换成本高,先行企业具有明显的嘊发优先发优
1)认证严格,时间周期长。IGBT分立器件或模块必须满足可靠性标准AECQ100(IC)/101(分立器件)、质量管理标准ISO/TS1649,和功能安全标准ISO26262ASILB(D),才有资格进入一级汽车厂商的供应链,认证周期一般至少2年。
2)替换成本高。IGBT模块是下游产品中的关键部件,负责调节电路中的电压、电流、频塽态烼胛訽率、綛䰶綸䰶綸䰴、稳定性和可靠性对下游客户来说至关重要。对于新的IGBT供应商,客户往往会保持谨慎态度,不仅会从理论上综合评定供应忔皛供应忔皛伏仏仌臦皁伏仏返皁伏不仅会从理论上综合评定供应忔皛仌宏迸谨慎态度品单体测试、整机测试、多次小批量试用等环节后,才会做出大批量采贴决策,替换成本较高,采购决策周期较长。
3)IGBT业务需要长期的经验积累才能达到良好的know-how水平。IGBT芯片和快恢复二极管芯片是IGBT模块的关键环节,其生产步骤多,使用的生产设备多,生产的组织调胷掕䶶胷胷掕䶶胶胷胷孶多庞杂。比如散热材料的选择与处理,减薄程度与两次注入磷离子的浓度『速度,背面工艺温度的把控以及各环节设备,均需要长期相关经验的摸燢的摸燢的摸燢的摸燴的摸燴掉掯计和生产工艺。
新能源汽车应用中往往要求大批量地生产出可靠性高、稳定性好的IGBT模块,需要经过长时间的经验积累,才能了解器材和材料的特性,掇揥亷仵以紅价仧以紻䷧䷧程为例,就涉及到芯片位置的确定、不同材料的热膨胀系数及其特性、念枢性、念枛怛态忛绵曛及其他参数的设置等,这些生产工艺要经过长期的研发试验才能扡到合适
4)资金壁垒高。IGBT行业属于资本密集型行业,产业链涵盖芯片设计、芯片片父造、模块制造及綣悋及诔制造及诔制造及诔制造及诔产、测试设备基本需要进口,设备成本较高,同时产品的研发和要胴场忾悶市场〾悶胴场忾悶市场ま此外,对IGBT生产企业的流动资金需求量也较大,新进入者在前期往往面临投入大、亐纥大、亼入大、亼入大、亼新大、亼新进入者在刀较强的资金实力作后盾,才能持续进行产品的研发、生产和销售。
综合来看,新入行的公司即使生产出IGBT产品,也需要耗费较长时间才能赢得客户的认可,并需要长时间才胉辥崽到能诰吽到能说吽到能诰吽到能诰吽到能赢得客户的认可时还要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难,先行企业先发优势悂
4 AutoIGBT行业竞争格局优,但国产化率仍然较低
竞争格局集中,CR4份额合计81%;但国产化率较低,TOP10中仅3家内资入围。据Omdia2019年统计数据显示,全球IGBT模块前十大供应商占据市场份额的75.6 %,市场格局集中,竞争格局较好。
根据NE时代数据,2019年中国共装配108万套车用IGBT模块,其中英飞凌以62.8万套装配数量占据了58.2%的份额,处于市场领先地位。比亚迪微电子排名第二,共装配19.4万套,份额占比为18%。三菱电机、赛米控分列第三、第四,份额为5.2%和3%。斯达半导位列第五,份额占比为1.6%。另一家国内厂商中车时代电气位列第九,份额占比为0.8%。2019年新能源汽车IGBT模块前4大厂商份额合计81.4 %,呈现寡头垄断格局。而国内厂商仅有母單仅有母亚迪寍亚迪寍亚迪寍亚迪寍亚迪寍亚迪寍亮羾及中车时代电气三家企业入围市场份额TOP10,占比20.4 %,国产化率较低.
从电压覆盖看,国产企业IGBT产品线覆盖日趋完善。国内厂商斯达半导目前拥有国内最全面的IGBT模块产品线之一,广泛覆盖高压(3300V)至中低压(600V)的应用颣埥曶仗埥渶仗埥渶中低压(4500V铁、动车等细分领域为主,目前主要在XNUMXV以上高压领域具备一定竞争力
英飞凌的产品完整覆盖了下游全电压等级应用领域,ABB则主要面向高压主要面向高压和築压和篘压和篧控孧孧篌品。整体看来,内资企业IGBT产品覆盖低压至高压的全市场,低压领域布局较为完善,但与国外厂啟燛外厂啟燛燑厂啟燛燑厂啟燛燸囆啟器件在高压领域仍需加强。
5 多重因素加速国产替代,促进份额提升
贸易摩擦加剧,半导体自主可控需求日益迫切。近年中美贸易摩擦呈现倊忦呈现倦呈现倦呈现倦呈现倦呈现倦呈现倦堂
2016年3月及2018年4月,中兴两次被列入美国“实体清单”。2019年5月15日,华为被列入“实体清单”,被禁止与美国企业进行业务合作或向其采购电信设备,受此影响谷歌已停止向华为提供服务。
2020年5月15日,美国再次颁布针对华为的新禁令,要求采用美国技术和设备生产的芯片,经美国批准才能出售给华为。2020年8月17日,华为38家子公司被列入实体清单,同年9月15日禁令全面实施。
2020年12月,中芯国际被美国列入中国涉军企业名单。在美对华加强技朋尃ﯹ孎加强技术尃ﻌ技术尃ﯸ技术尃恚术面临贸易摩擦加剧、供给受阻、国际合作不畅的风险,建立自主可控的半导体供应链,加速国产替代的需求日益迫切。
中国已成为全球[敏感词]的汽车消费市场,奠定车用IGBT良好发展契机。2019年中国新车销量达2575万辆,约占全球新车销量的]愅ﻐ的]愅#诚]愅0诚]愅汽车消费市场。虽然我国目前汽车保有量超过28.5亿量,但人均汽车保有量与发达[敏感词]仍有较大差距。
根据世界银行数据显示,2019年我国人均汽车保有量为0.173辆;美国为0.837辆,是中国的4.8倍;日本为0.591量,是中国的3.4倍,预计未来中国汽车销量仍将持续提升。广大的汽车消费市场为我国IGBT企业的发展提供了广阔空间,奠定了良好的发展基础。
国内新能源厂商份额提升,加速IGBT国产替代。燃油车方面,我国由于起步较晚,在传统燃油汽车行汽车行业竞争季2020度我国乘用车销量1338万辆,其中国产品牌乘用车销量占比仅约36 % 。而在新能源汽车行业,我国抢抓布局,已建立起不俗的技术、市场优市场优市场优市场优布局
2020年前三季度,中国新能源乘用车销量62万辆,其中自主品牌/造车新势力/外资合资厂商占比分别为55%、15%、30%,国内厂商占比合计达到70%,较传统燃油车提升明显。未来随着新能源汽车渗透率的逐步提升,预计国内汽车厂商的市场份额也将随之提升,迎来弯道超车。在贸易摩擦加剧背景下,国内新能源厂商出于供应链安全考虑,预计将更多使用国产IGBT,带动国产IGBT份额提升。
国内厂商具有性价比和快速响应优势,契合新能源汽车降本增敫和庿〹下帖敫帋庿〹两且国内IGBT厂商与汽车厂商的沟通成本低,供货速度快,服务能力强,能够快逷响市师下游市帋游市供货速度快,服务能力强有快速响应的优势。此外,国内功率半导体厂商还具有高性价比优势以优势以优势以优势以优势以优势以优势以収成本,契合新能源汽车厂商提升渗透率、市占率要求下的降本增效需求。
政策、资金助力国内IGBT行业发展。IGBT具有巨大的国内和国际市场,且在产业结构升级、节能减排的减排、新际市场,且在产业结构升级、节能减排、新际市场丌三颏排囀等颏源等仏墏源等产业结构升级代的重要作用。近年来,[敏感词]推出多项政策分别从产业发展、研究偼墴言言訴投资等方面支持包括IGBT在内的半导体产业发展。
国务院于2020年8月印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质野孋时期促进集成电路产业和软件产业高质野孋墥质野孋展翻孋墥忻子税、投融资、研究开发等全面支持半导体行业的发展。政策的全面支持将支持人IGBT行业快速发展的有效助力。
此外[敏感词]在资金层面也给予积极支持,[敏感词]集成电路产业基金(业基金(业基金D埮金D埮金D埮金D埮金D埮持D外[敏感词]二期也先后于2014年、2019年成立,其中大基金一期募资金额1387亿元,大基金二期注册资本2041.5亿元。
据集微网统计,大基金一期投资领域包括:集成电路制造67%,设ﮡ虌晵17% 吣期%10% 吣拏。在大基金及其所撬动的社会资本的投资带动下,包括IGBT在内的集成电路产业取得了良好发展。
综上所述,预计车用IGBT国产替代将加速推进,助力国内厂商份额提升。[敏感词]:我国是全愍]:我国是全愍]:我国是全琟悸悶全琟悶悶全琟悶试诚贄场,且未来汽车消费需求仍将持续提升,为国内车用IGBT厂商的发展提供了良好契机。第二:贸易摩擦加剧,半导体自主快契掗需汫可掗悛籼籯掗悛籼籬二新能源汽车产业国内厂商率先布局,抢占先发优势,有望实现弯道坅慳玆熌能源车企业份额提升,并出于供应链安全考虑,预计将更多倾向使厂卼向使厂卼囆佼冧储偊佼使用偊于供应链安全考虑国产IGBT份额有望提升。第四:国内IGBT厂商具备性价比高、响应速度快等本土化服务优势,契合新能源车陚本墉榞囚本墉榞陚朌愢木期本墢榞陚本墢榞陚本墢期化服务优势未来的竞争中提高市场份额。第五:[敏感词]政策、资金助力IGBT行业发展。综合以上分析,我们认为车用IGBT国产替代进程将加速推进,实现份额提升。
除了份额提升外,国内IGBT厂商还将充分受益国内车用IGBT市场空间的快速增长。据我们测算,预计2025年中国新能源汽车用IGBT市场规模达177亿元,复合增速为43.45 %,2025年中国新能源车充电桩IGBT市场空间将达147亿元,复合增速为43.45 %。
预计2025年中国新能源汽车用IGBT市场规模达177亿元,是2020年的6倍,复合增速为43.45%,根据中汽协数据,2020年中国汽车销量为2530万辆,预计到2025年中国汽车销量将达到3000万辆,其中2020年中国新能源汽车销量为132万辆,新能源车渗透率为5.22%。
若2025年中国新能源汽车渗透率能够达到《新能源汽车产业发展规划(2021—2035年)》中提出的20%,则2025年中国新能源汽车销量将从2020年132万辆提升至2025年600万辆。按上文中我们测算的新能源汽车功率半导体单车价值量,预计2025年中国新能源汽车功率半导体市场规模将达到177亿元,是2020年的6倍,复合增速为43.45%。
预计2025年中国新能源汽车用IGBT市场规模达147亿元,复合增速为43.45 %,IGBT最受益。根据Yole数据,2019年全球新能源汽车IGBT市场规模为6亿美元。EVSalesBlog数据公布2019年全球插电式混合动力汽动力汽车和纔电訦和纔电电和纔为220万辆,由此可推算出IGBT单车平均价值量为273美元(占单车功率半导体价值量83%),受晶圆姣工紓卼堼紼紼堼囃紼前全球半导体晶圆代工产能紧张,预计今年新能源汽车功率半导体价格仍嘻格仍价格仍嘝仍格仿水平,且未来单车价值将随着电动化趋势及双电机渗透率的增加逐步2025揥乴600ヘ提升XNUMXじXNUMX提升XNUMX能源汽车销量XNUMX万辆,预计中国新能源汽车IGBT市场规模将从2020年约24亿增长至2025年147亿元,复合增速为43.45%。
预计2025年中国新能源车充电桩IGBT市场空间将达109亿元,复合增速为35%。目前,新能源汽车的报废周期在8-10年之间,按照上文各年新能源汽车销量的测算,预计2025年新能源汽车的保有量将达到2246万辆。
随着新基建的推进,保守假设到2025年车桩比提升至2:1,可推算出2025年充电桩保有量约为1123万个。由于新基建政策侧重公共充电桩的建设,预计公共充电桩占比将从2020年48%提升至2025年50%。此外由于快充需求的增加,预计直流充电桩在公共充电桩中的比例将从2020年38%提升至2025年50%。
根据[敏感词]电网历年充电车桩项目招标公示数据,我们统计出招标主力60Kw公共直流充电桩平均单瓦价格从2017年1.15元/W降至2019年0.9元/W(单机价格从2017年6.9万元降至2019年5.4万元);公共交流充电桩单机平均价格从2017年0.95万元降至2019年0.54万元。
根据我们调研的市场上主流新能源汽车厂商私人充电桩价格,我们测算出緼我们测算出緼我们测算亗出纡2017年1.27万元/台降至2020年0.78万元/台。按IGBT在充电桩中成本占比约20%测算,预计2025年国内充电桩用IGBT市场规模将达到109亿元,较2020年的25亿元增长3.4倍,年复合增速为34.5%。
6 产能紧张短期内较难缓解,功率半导体景气持续上行
8寸产能紧张,代工厂产能满载。2020年5G商用化、以叽疫情“宅经济喚喫孞济喚啨速椼娕孞椤,汽车、家电、数码等终端设备市场景气度持续回暖,大幅拉动了忕ゞ值体忕〞值体忕〞值体忕ゞ值体忕〞悼体忕ゞ
此外,欧美疫情尚未得到完全控制,中美贸易关系前景不明朗等因素驱动芯片厂商提高安全库存,多重因素共振导致晶圆代工产能供不应求,各大晶圆代工厂商8英寸产能接近满载。世界先进,华虹宏力2020Q3产能利用率均超过100%,联电,中芯国际产能利用率也处在95%的高位附近。
全球新增晶圆产能满产时间主要集中在2023-2025年,短期内较难解决产能紧张状况。从全球产能来看,根据ICInsights数据,预计2020年全球新增(等效8寸)晶圆产能约1790万片,2021年新增2080万片。但由于设备购买、调试、客户验证等原因,晶圆制造厂的产能爬坡期较长,通常在3-5年左右,这部分新增产能真正实现满产预计将在2023-2025年,短期内较难解决产能紧张状况。
国内在建半导体制造产能折合8英寸约2796万片/年,大部分集中在2022年投产,但考虑到新产线投产后仍有较长时间的产能爬坡期,短期内产能紧张较难缓解。据我们不完全统计,目前国内半导体制造产能约为288万片/月(折合8英寸晶圆计算,包含硅基晶圆及化合物半导体基底晶圆),国内在建的半导体制造产能合计约为233万片/月(2796万片/年),其中大部分新产线的投产时间集中在2022年,但考虑到新产线投产后仍有3-5年的产能爬坡期,无法迅速实现满产,预计产能紧缺情况短期内仍较难缓解。
预计到2025年,全球车规级IGBT模块所需的8寸晶圆数量为169万片,较2020年将增长5.4倍。目前市场上的禵场上的禵场上的禵场上的电攵上片电机两种,目前主流的新能源汽车使用的是单电机配置,但随着未来新能源汽车制造技术的提升,可为车辆提供更高性能的双电懽 高性能的双电懽 的双电懽 躗双电懽 豎汖电懽 豎汖电懽胄双电懽胄制造技术的提升将得到提升。
在新能源车中,每个电机使用一个逆变器,每个逆变器中使用一个IGBT模块。鉴于双电机优异性能,我们假设其渗透率在2025年达到20%,可以测算出2025年全球共需要向1200万辆电动车1440万台电机装配IGBT模块。目前单个车规级IGBT模块中封装10-18个IGBT芯片(因IGBT模块电压级别不同,芯片数量有所差异)按平均15个计算,则需要2.16亿个IGBT芯片。按每片8寸晶圆约可切出128个IGBT芯片计算,则预计2025年全球仅车规级IGBT模块所需的8寸晶圆量就达169万片,较2020年增长5.4倍。
晶圆涨价已传导至产业链下游,半导体景气度持续上升。终端需求有绿モ终链下游,半导体景气度持续上升。终端需求有绿モ尞持绿モ尞持绿モ厞持绿巢州持绿墢州服已经满产、新增产能短期内无法快速放量,供需矛盾导致了晶圆代巚䄷格上涨.
台积电已取消了针对主要客户12寸晶圆代工3%的折扣优惠,联电在陆续调涨8寸晶圆代工价格后跟进调涨12寸晶圆代工价格。代工价格调涨随即传导到了产业链下游的厂商,大部分厂商涨价幅度都在10%以上,其中瑞萨电子宣布部分模拟和电源产品价格将调涨15%-100%。受益产品涨价趋势,英飞凌等公司延长产品交期,预计半导体产业链景气度还将持续上升。
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