+86 755-83044319

Produkty

Domů
/

Produkty

/

Diskrétní napájecí zařízení

/

MOSFET

/

MOSFET středního napětí

2N7002E N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 2N7002E N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23 2N7002E N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
2N7002E N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

TYpe：N-kanál

VDSS： 60 V

Id： 300 mA

Pd： 225 mW

RDS(ON)@Vgs,Id：3Ω@10V,500mA

Vgs(th)@Id：2.5V@250μA


dotaz list

Podrobnosti o produktu

Obecné rysy

● VDS= 60V.ID= 300 mA

   RDS(ON)<3Ω@VGS= 10V

   RDS(ON)<3.5Ω@VGS= 5V

● Vysoký výkon a schopnost přenosu proudu

● Získá se produkt bez olova

● Balíček pro povrchovou montáž

editaci videa

● PWM aplikace

● Spínač zatížení

● Řízení spotřeby


2N7002E_00.jpg
Předchozí:SL17N06DN1 N-Channel Enhancement MOSFET TO-252
Další:2N7002 N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

Doporučení novinek

Novinky Nejčastější dotazy

Populární značky

ANO SCR IGBT MOSFET Optočlen SiC SBD Dioda TVS ESD dioda Zenerova dioda Schottkyho dioda Bipolární tranzistor Hallovy senzory IC ovladače brány

Doporučené produkty

zobrazit více +

Mapa stránek | 萨科微 | 金航标 | Slkor | Kinghelm 
RU | FR | DE | IT | ES | PT | JA | KO | AR | TR | TH | MS | VI | MG | FA | ZH-TW | HR | BG | SD| GD | SN | SM | PS | LB | KY | KU | HAW | CO | AM | UZ | TG | SU | ST | ML | KK | NY | ZU | YO | TE | TA | SO| PA| NE | MN | MI | LA | LO | KM | KN
 | JW | IG | HMN | HA | EO | CEB | BS | BN | UR | HT | KA | EU | AZ | HY | YI |MK | IS | BE | CY | GA | SW | SV | AF | FA | TR | TH | MT | HU | GL | ET | NL | DA | CS | FI | EL | HI | NE | PL | RO | CA | TL | IW | LV | ID | LT | SR | SQ | SL | UK

Copyright © 2015-2025 Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd

Poradenská služba

Servisní horká linka

+86 0755-83044319

Hallův snímač

Získejte informace o produktu

WeChat

WeChat