IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) je složen z MOS (izolovaný hradlový tranzistor s efektem pole) a BJT (bipolární tranzistor). Jedná se o napěťově řízené výkonové polovodičové zařízení. IGBT může být jedno samostatné zařízení nebo modul, každý druh s vlastní řadou aplikací. V průmyslu se používá při řízení dopravy, přeměně energie, průmyslových motorech, nepřerušitelných zdrojích UPS, zařízeních pro napájení větrných turbín a solární energii, frekvenčních měničích atd. Ve spotřební elektronice se používá v domácích spotřebičích, nabíjecích hromadách, elektrických vozidlech , elektrické nářadí atd.