Vnitřní struktura diody s rychlou obnovou se liší od běžné PN přechodové diody, která patří k PIN přechodové diodě, tj. oblast báze I je přidána uprostřed křemíkového materiálu typu P a křemíkového materiálu typu N, aby se vytvořil PIN. křemíkový plátek. Protože oblast báze je velmi tenká, náboj zpětného zotavení je velmi malý, takže doba zpětného zotavení diody rychlého zotavení je kratší, pokles napětí v propustném směru je nižší a napětí zpětného průrazu (hodnota výdržného napětí) je vyšší.